3月16日から19日まで応物春季学術講演会がオンラインで開催され、一般社団法人光融合技術協会の社員 大谷毅氏が「HC-PECVD 成膜されたSiO2 薄膜の特性」を発表しました。
概要は以下の通りです。
「酸素をプラズマ源とし、TMDSOを前駆体としたHollow Cathode PECVDを用いて高密度SiO2膜を成膜する条件を検討した。成膜時圧力0.5Pa~1.5Paでスパッタ膜と同等の膜密度とみなせる屈折率1.46、Siに対して2%未満の炭素含有率のSiO2膜が得られた。これらの詳細を報告する。」
これは宇都宮大学工学部の依田先生と一般社団法人光融合技術協会の共同研究の成果であります。
ご聴講いただきました皆様、誠にありがとうございました。